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大場 弘則; 鈴木 裕*; 江坂 文孝; 山田 洋一*; 山本 博之; 笹瀬 雅人*; 横山 淳
no journal, ,
シリコン同位体濃縮技術の作業物質として用いられているフロロシランからの直接結晶成長させるために、CVDによるシリコン薄膜作製を行っている。これまでに高周波プラズマCVDを用いてシリコン薄膜を作製してきたが、生成膜はアモルファス構造であった。本研究では、マイクロ波プラズマによるシリコン結晶成長を試みた。反応ガスには当研究グループで調製した
Siを25.9%まで濃縮したSiF
及びH
を用い、Arで希釈混合した後チャンバー内に導入した。基板に石英または単結晶ウェーハを用い、2.45GHzのリモート型マイクロ波プラズマCVD装置を用いてH/SiF流量比を25、基板温度を523
1023Kとして成膜した。生成膜の評価はX線回折装置,二次イオン質量分析計等で行った。その結果、生成したシリコン薄膜は原料ガス濃縮度とほぼ同じ同位体組成であり、基板と生成膜界面部には約100nmのエピタキシャル層が確認され、結晶成長が可能であることが示された。
橋本 雅史; 大場 弘則; 赤木 浩; 佐伯 盛久; 横山 淳
no journal, ,
O(天然存在割合0.204%)は陽電子断層撮影用検査試薬の原料として用いられるなど医療分野で有用な同位体である。われわれはOの高効率な分離法として、不飽和環状エーテルの一波長赤外多光子解離による同位体分離の研究を行ってきた。今回は、同位体分離の効率のさらなる向上を目的として、特に良い成果の得られている2,3-ジヒドロピランに対し、照射する赤外光に励起用と分解用の二波長を用いた赤外多光子解離によるO同位体分離実験を行い、分解確率と同位体分離係数を求めた。その結果、一波長のレーザーフルエンス(2.2J/cm
)よりも低いフルエンス(二波長の合計約1.5J/cm)でほぼ同等の分解確率と同位体選択性が得られた。また、一波長では試料中での集光を必要としたが二波長ではそれが不要となったため、約5倍の量の処理が可能となった。これにより、酸素同位体の大量濃縮の可能性が示された。